尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > PSMN7R0-30YL,115代替型号比较

PSMN7R0-30YL,115  与  BSC072N03LD G  区别

型号 PSMN7R0-30YL,115 BSC072N03LD G
唯样编号 A36-PSMN7R0-30YL,115 A-BSC072N03LD G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 12.2 mOhm 10 nC 51 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 51W 57W
Qg-栅极电荷 - 41nC,41nC
输出电容 255pF -
栅极电压Vgs 1.7V 20V
正向跨导 - 最小值 - 28S,28S
典型关闭延迟时间 - 25ns,25ns
FET类型 N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 76A 20A
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
系列 - OptiMOS3
输入电容 1270pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 7mΩ@10V,9.1mΩ@4.5V -
下降时间 - 4ns,4ns
典型接通延迟时间 - 6ns,6ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-30YL_SOT669 N-Channel 51W 175℃ 1.7V 30V 76A

暂无价格 0 当前型号
BSC080N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC072N03LD G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC072N03LDGATMA1_30V 20A 6mΩ 20V 57W 2N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC090N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC090N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOL1414 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±12V 6.5 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2.08W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSC080N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售